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K60S06K3

Referência: 0504-074

Condição: Novo produto

CHIPART - K60S06K3

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K60S06K3

Fabricante:	Toshiba
Categoria de produto:	MOSFET
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	60 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	60 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	8 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte:	2 V
Qg - Carga na porta:	60 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	88 W
Modo de canal:	Enhancement
Qualificação:	AEC-Q101
Configuração:	Single
Altura:	2.3 mm
Comprimento:	6.5 mm
Série:	TK60S06K3L
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Largura:	5.5 mm
Marca:	Toshiba
Tipo de Produto:	MOSFET
Peso unitário:	330 mg